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    漏源电压: 100V
    类型: 1个N沟道+1个P沟道
    当前匹配商品:4
    商品信息
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    谷峰 Mosfet场效应管 G1K2C10S2 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1K2C10S2 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1K2C10S2

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:3.5A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:165mΩ@10V€110mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1K2C10S2 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1K2C10S2 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1K2C10S2

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:3.5A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:165mΩ@10V€110mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8M51TR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8M51TR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8M51TR

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2A€1.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS590DN-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS590DN-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:2.7A€2.3A€4A€4A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:167mΩ@1.5A,10V€251mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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