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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，4.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2347
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2347
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2347
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
