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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:800+
    商品信息
    参数
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:3.8V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.666nF@10V

    连续漏极电流:15.9A€54.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.25mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS37N50A-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.579nF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420APBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420APBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740ASPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.03nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    输入电容:1.135nF@35V

    连续漏极电流:13.9A€45.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740ASPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.03nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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