采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：625W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：350 nC @ 10 V
输入电容：16870 pF @ 100 V
连续漏极电流：96A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY112N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16870pF@100V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：625W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：350 nC @ 10 V
输入电容：16870 pF @ 100 V
连续漏极电流：96A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：650V
功率：625W（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
阈值电压：5V @ 250µA
输入电容：16870 pF @ 100 V
导通电阻：22 毫欧 @ 47A，10V
栅极电荷：350 nC @ 10 V
连续漏极电流：96A（Tc）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：650V
阈值电压：4V @ 240µA
连续漏极电流：7A（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
类型：N 通道
功率：60W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
