品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:32pF@25V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
功率:357mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:32pF@25V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
功率:357mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
输入电容:32pF@25V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
功率:357mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: