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    漏源电压: 60V
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2.5V@250µA
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2150

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB3036PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11210pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L 起订577个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L 起订577个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":676}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF30N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1040pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订370个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订370个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0,"22+":0}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP36NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP36NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP13N06L 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP13N06L 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1838

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP13N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB3036PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11210pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB3036PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11210pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0,"22+":0}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP36NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订150个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订150个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2618L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2618L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF2618L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:950pF@30V

    连续漏极电流:7A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP36NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP36NF06L 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP36NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订2025个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订2025个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订525个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订525个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB3036PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11210pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF30N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1040pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CH C5G 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CH C5G 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB3036PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11210pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订1个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订1个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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