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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2150
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：管件
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2104
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：53W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：16.5nC@5V
输入电容：1.667nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2个N沟道
反向传输电容：91pF@25V
导通电阻：14mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2104
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K17-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1578pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2223pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K17-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1578pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：管件
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
