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    漏源电压: 60V
    阈值电压: 2.5V @ 250µA
    工作温度: -55°C~175°C(TJ)
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_BE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_BE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_BE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:5W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000 pF @ 30 V

    连续漏极电流:5.3A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:95 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_BE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:5W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000 pF @ 30 V

    连续漏极电流:5.3A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:95 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:85 nC @ 10 V

    输入电容:5100 pF @ 25 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:13.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:636 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:32 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:13.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:636 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:32 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS3036TRLPBF 起订数250个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS3036TRLPBF 起订数250个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:380W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:140 nC @ 4.5 V

    输入电容:11210 pF @ 50 V

    连续漏极电流:195A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:39W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 10 V

    输入电容:755 pF @ 25 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:36 毫欧 @ 5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:13.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:636 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:32 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:9.7 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    功率:13.6W(Tc)

    输入电容:636 pF @ 25 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    导通电阻:32 毫欧 @ 3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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