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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB32N06LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：97W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，235
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1909
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1909
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB32N06LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：97W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，235
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
