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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 60V
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    阈值电压: 2.5V @ 250µA
    当前匹配商品:9
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.4nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF @ 30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.4nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF @ 30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:50 pF @ 25 V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    功率:200mW(Ta)

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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