品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 1mA
输入电容:15 pF @ 30 V
连续漏极电流:310mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2V @ 10µA
输入电容:47 pF @ 30 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:680 毫欧 @ 400mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2V @ 10µA
输入电容:47 pF @ 30 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:680 毫欧 @ 400mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 1mA
输入电容:15 pF @ 30 V
连续漏极电流:310mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 1mA
输入电容:15 pF @ 30 V
连续漏极电流:310mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 1mA
输入电容:15 pF @ 30 V
连续漏极电流:310mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:340mA(Ta)
漏源电压:60V
类型:N 通道
输入电容:18 pF @ 30 V
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:150mW(Ta)
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:0.35 nC @ 4.5 V
输入电容:17 pF @ 10 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:3.9 欧姆 @ 100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:150mW(Ta)
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:0.35 nC @ 4.5 V
输入电容:17 pF @ 10 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:3.9 欧姆 @ 100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: