品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2306
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
输入电容:10700pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3
输入电容:5800pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
输入电容:10700pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-RE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
输入电容:10700pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2306
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7658ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: