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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.83nF@15V
连续漏极电流：16A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：3.69nF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10V，13.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
