品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1
导通电阻:9mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1600pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
栅极电荷:15nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:1988pF@15V
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.2W€68W
连续漏极电流:22A€102A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
功率:47W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD4909N-35G
漏源电压:30V
导通电阻:8mΩ@30A,10V
输入电容:1314pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:8.8A€41A
功率:1.37W€29.4W
栅极电荷:17.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
功率:500W
输入电容:7315pF@25V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":18000}
规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€31W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
生产批次:{"09+":7400,"12+":300,"15+":15600}
规格型号(MPN):NTD4909N-35G
漏源电压:30V
导通电阻:8mΩ@30A,10V
输入电容:1314pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:8.8A€41A
功率:1.37W€29.4W
栅极电荷:17.5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
功率:47W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":7000,"15+":9000}
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IPP065N03LGXKSA1
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
生产批次:{"11+":17450}
规格型号(MPN):NTD4906N-1G
输入电容:1932pF@15V
漏源电压:30V
功率:1.38W€37.5W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:10.3A€54A
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:993pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:15.3A€47A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:3200pF@15V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
功率:500W
输入电容:7315pF@25V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:6.5nC@5V
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:320pF@25V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:30W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:3200pF@15V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€31W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
功率:3.1W€37W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1683pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:10.3nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.1A€22.1A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3W€14.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:1988pF@15V
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.2W€68W
连续漏极电流:22A€102A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:10.3nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.1A€22.1A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
功率:3W€14.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":65500,"15+":180,"17+":500}
规格型号(MPN):IPP042N03LGHKSA1
漏源电压:30V
连续漏极电流:70A
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
功率:79W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3900pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD508
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2010pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3mΩ@20A,10V
连续漏极电流:22A€70A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD508
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:3mΩ@20A,10V
连续漏极电流:70A
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
功率:50W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
功率:500W
输入电容:7315pF@25V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: