首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1600pF@15V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    栅极电荷:15nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    输入电容:2400pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:N沟道

    输入电容:1988pF@15V

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:31nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.2W€68W

    连续漏极电流:22A€102A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1900pF@15V

    类型:N沟道

    功率:47W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):NTD4909N-35G

    漏源电压:30V

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    输入电容:1314pF@15V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:8.8A€41A

    功率:1.37W€29.4W

    栅极电荷:17.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:500W

    输入电容:7315pF@25V

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":18000}

    规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:14.7mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:18.2nC@10V

    输入电容:1113pF@15V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.1W€31W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    生产批次:{"09+":7400,"12+":300,"15+":15600}

    规格型号(MPN):NTD4909N-35G

    漏源电压:30V

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    输入电容:1314pF@15V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:8.8A€41A

    功率:1.37W€29.4W

    栅极电荷:17.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1900pF@15V

    类型:N沟道

    功率:47W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP065N03LGXKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP065N03LGXKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":7000,"15+":9000}

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):IPP065N03LGXKSA1

    漏源电压:30V

    功率:56W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    输入电容:2400pF@15V

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4906N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4906N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    生产批次:{"11+":17450}

    规格型号(MPN):NTD4906N-1G

    输入电容:1932pF@15V

    漏源电压:30V

    功率:1.38W€37.5W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:10.3A€54A

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:993pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:19.3nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7.4mΩ@30A,10V

    功率:3W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:15.3A€47A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:N沟道

    输入电容:3200pF@15V

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:31nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    输入电容:2400pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:500W

    输入电容:7315pF@25V

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF03LT4

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:6.5nC@5V

    导通电阻:50mΩ@8.5A,10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:320pF@25V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:30W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    漏源电压:30V

    类型:N沟道

    输入电容:3200pF@15V

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:18.2nC@10V

    输入电容:1113pF@15V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.1W€31W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    功率:3.1W€37W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:26nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:1683pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG

    输入电容:500pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:10.3nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3W€14.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:N沟道

    输入电容:1988pF@15V

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:31nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.2W€68W

    连续漏极电流:22A€102A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG

    输入电容:500pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:10.3nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:3W€14.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP042N03LGHKSA1 起订926个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP042N03LGHKSA1 起订926个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":65500,"15+":180,"17+":500}

    规格型号(MPN):IPP042N03LGHKSA1

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:70A

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    功率:79W

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:3900pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    输入电容:2400pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订20个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订20个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD508

    功率:2.5W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2010pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:49nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:22A€70A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD508 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD508

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N-Channel

    ECCN:EAR99

    功率:50W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:500W

    输入电容:7315pF@25V

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧