品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.36nF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.36nF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:1.36nF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
栅极电荷:40nC@10V
功率:900mW
连续漏极电流:6.9A
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ9435-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
类型:1个P沟道
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: