品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:3.415nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:232pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:3.415nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:232pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:3.415nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:232pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
输入电容:3.415nF@15V
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
类型:1个N沟道
功率:36W
反向传输电容:232pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
连续漏极电流:40A
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.005nF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: