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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P15FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：200mW
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM6P15FU，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：200mW
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J15FV，L3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
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类型：P沟道
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功率：150mW
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连续漏极电流：100mA
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导通电阻：12Ω@10mA，4V
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类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J15FU，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
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输入电容：9.1pF@3V
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类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
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导通电阻：12Ω@10mA，4V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
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功率：200mW
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类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道（双）
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漏源电压：30V
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功率：200mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FU，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
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输入电容：9.1pF@3V
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类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FU，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
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类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FV，L3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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