品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FV,L3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FV,L3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J15FV,L3F
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功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FV,L3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FU,LF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
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功率:150mW
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规格型号(MPN):SSM3J15FU,LF
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类型:P沟道
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阈值电压:1.7V@100µA
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输入电容:9.1pF@3V
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
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类型:P沟道
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类型:P沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
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连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):SSM3J15FV,L3F
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阈值电压:1.7V@100µA
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输入电容:9.1pF@3V
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类型:P沟道
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规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
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类型:P沟道
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规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FU,LF
功率:150mW
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漏源电压:30V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
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工作温度:150℃
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