品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:300mW
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.5A€1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
功率:450mW
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAK,215
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1.5V@250µA
功率:300mW€1.06W
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.44nC@4.5V
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3099-TP
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.72nC@10V
类型:N沟道
输入电容:61pF@15V
导通电阻:408mΩ@500nA,10V
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKW,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:260mW€1.1W
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.44nC@4.5V
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3028N
连续漏极电流:3.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@3.8A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:375pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKV,115
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
漏源电压:30V
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:375mW
阈值电压:1.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
栅极电荷:7nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:630pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86012
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
功率:2.3W€54W
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V
栅极电荷:38nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:5075pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
输入电容:430pF@15V
栅极电荷:10.1nC@10V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:940mW
导通电阻:17mΩ@9A,10V
连续漏极电流:7.44A
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:798pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A€1.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:77mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3434A
输入电容:245pF@15V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:15A
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKV,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:200mA
功率:375mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:270mA
导通电阻:2Ω@10mA,4V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1265pF@15V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKV,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:200mA
功率:375mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKV,115
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
漏源电压:30V
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:375mW
阈值电压:1.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17312Q5
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5mΩ@35A,8V
功率:3.2W
类型:N沟道
输入电容:5240pF@15V
栅极电荷:36nC@4.5V
连续漏极电流:38A€100A
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAK,215
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:13pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1.5V@250µA
功率:300mW€1.06W
栅极电荷:0.44nC@4.5V
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: