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    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    栅极电荷:0.9nC@10V

    功率:300mW

    输入电容:23.2pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N沟道

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.5A€1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订800个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订800个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LV-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:22pF@25V

    类型:2N沟道(双)

    功率:450mW

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAK,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAK,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAK,215

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:300mW€1.06W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.44nC@4.5V

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3099-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3099-TP

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.72nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:61pF@15V

    导通电阻:408mΩ@500nA,10V

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKW,115 起订1531个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKW,115 起订1531个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKW,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:260mW€1.1W

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.44nC@4.5V

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3028N 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3028N 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA3028N

    连续漏极电流:3.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:68mΩ@3.8A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:375pF@15V

    类型:2N沟道(双)

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    漏源电压:30V

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:375mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订200个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订200个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:5.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    栅极电荷:7nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:630pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86012

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:1.5V@250µA

    导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V

    栅极电荷:38nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    输入电容:5075pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    输入电容:430pF@15V

    栅极电荷:10.1nC@10V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LFG-7

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:7.44A

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:798pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:300mW

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:22pF@25V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3434A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3434A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3434A

    输入电容:245pF@15V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    栅极电荷:10nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:22pF@25V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LV-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    输入电容:22pF@25V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:450mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:22pF@25V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.1nC@10V

    类型:N沟道

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:105pF@15V

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:15A

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:200mA

    功率:375mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:270mA

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1265pF@15V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:200mA

    功率:375mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    漏源电压:30V

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:375mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17312Q5

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.5mΩ@35A,8V

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    输入电容:5240pF@15V

    栅极电荷:36nC@4.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:465pF@15V

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAK,215 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAK,215 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAK,215

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:13pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:300mW€1.06W

    栅极电荷:0.44nC@4.5V

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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