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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:3.1A€3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4800 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4800 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF370XN,115 起订22个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF370XN,115 起订22个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF370XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:560mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.65nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@25V

    连续漏极电流:870mA

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3066LQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3066LQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3066LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6800 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6800 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":4995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD175XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:225mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:1.44A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":525,"21+":2031,"22+":14309,"23+":1545}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86012

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5075pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKW,115 起订1531个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKW,115 起订1531个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.44nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订146个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订146个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4167CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17312Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17312Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5240pF@15V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@35A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3418L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464.3pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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