品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
输入电容:430pF@15V
栅极电荷:10.1nC@10V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:2140pF@15V
导通电阻:20mΩ@6A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:35nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6401A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
输入电容:1180pF@15V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:44mΩ@5A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3105LVT-7
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
功率:1.15W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:19.8nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
输入电容:839pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3105LVT-7
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
功率:1.15W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:19.8nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
输入电容:839pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:35nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3
功率:1.6W€2.8W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@4.3A,10V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:26nC@10V
类型:P沟道
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:1.44A
导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:1.44A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3105LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:P-Channel
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P-Channel
导通电阻:45mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3105LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3105LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3105LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:839pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: