采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：640mA
包装方式：袋
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
阈值电压：3.5V@10mA
连续漏极电流：650mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
