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    漏源电压: 30V
    包装方式: 剪切带(CT)
    当前匹配商品:60+
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    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4953ADY-T1-E3 起订42个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4953ADY-T1-E3 起订42个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:07+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4953ADY-T1-E3

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4953ADY-T1-E3 起订49个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4953ADY-T1-E3 起订49个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:07+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4953ADY-T1-E3

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DI9435T 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DI9435T 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI9435T

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30BL,118 起订396个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30BL,118 起订396个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":493}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:6810pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH050P03GZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH050P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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