品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:07+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4953ADY-T1-E3
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:53mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:07+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4953ADY-T1-E3
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:53mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI9435T
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":493}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:6810pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: