采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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功率：800mW
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输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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漏源电压：30V
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功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
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功率：800mW
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连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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功率：800mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
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功率：800mW
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功率：800mW
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
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功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
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输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
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规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
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输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
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输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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输入电容：1320pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
漏源电压：30V
类型：N沟道
输入电容：6810pF@15V
栅极电荷：117nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
连续漏极电流：100A
包装方式：剪切带（CT）
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
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类型：N沟道
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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类型：N沟道
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库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
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功率：800mW
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
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连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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