品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
功率:200mW
反向传输电容:5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,500mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: