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    漏源电压
    30V
    连续漏极电流
    35A
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    行业应用
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 35A
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
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    谷峰 Mosfet场效应管 G40P03D5 起订17个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G40P03D5 起订17个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G40P03D5

    功率:48W

    阈值电压:1.4V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:3.595nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订137个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订137个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:3.595nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"1E+":2850}

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    漏源电压:30V

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:30W

    连续漏极电流:35A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2243

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2243

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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