品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3400
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:535pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:36pF@15V
导通电阻:27mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€1.1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:440pC@4.5V
输入电容:13pF@10V
连续漏极电流:180mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€1.1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:440pC@4.5V
输入电容:13pF@10V
连续漏极电流:180mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS020N03ZC
功率:78W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3400
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:535pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:36pF@15V
导通电阻:27mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG100N03
功率:120W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:4.2mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4410
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3400
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:535pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:36pF@15V
导通电阻:27mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3404
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB380XN,315
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:870pC@4.5V
输入电容:56pF@25V
连续漏极电流:930mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3400A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:71pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,5.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3404A
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3404
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN7414
功率:23W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:14nC
输入电容:600pF
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
反向传输电容:70pF
导通电阻:11mΩ@10V,20.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: