采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4L+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0395DPA-00#J53
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3ENX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：914pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL
功率：64W
阈值电压：2.3V@500μA
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN010-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：28A€10.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.2mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7544
功率：23W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0901NSIATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402A
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3541FS8T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G100N03D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：5.595nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：659pF@50V
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN018-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW4E065GNTCL1
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"3D+"：39000，"3E+"：149485}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0397DPA-00#J53
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
输入电容：1.11nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2706GR-E1-AT
功率：15W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：20A€11A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034N03L G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：5.3nF@15V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：81pF@15V
导通电阻：2.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
