品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:24.7A€67.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: