采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：22.2W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：22.2W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：2.22nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：1.27nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：22.2W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.9nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4306SC
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4306SC
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250μA
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406AL
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4306SC
连续漏极电流：13A
漏源电压：30V
阈值电压：1.9V@250μA
功率：3.1W
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406AL
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406AL
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406AL
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：1.27nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：1.27nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
