品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:383pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
功率:860mW
漏源电压:30V
输入电容:383pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:21mΩ@6A,10V
类型:1个N沟道+1个P沟道
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA€1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V€800pC@10V
输入电容:19pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V€400mΩ@590mA,10
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
栅极电荷:1.4nC@10V
漏源电压:30V
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道+1个P沟道
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:2.6V@250μA€1.6V@250μA
漏源电压:30V
功率:290mW
栅极电荷:1.2nC@10V€800pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:900mΩ@420mA,10V€400mΩ@590mA,10
类型:1个N沟道+1个P沟道
输入电容:19pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: