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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI9435T
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
