采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA622TT-E1-A
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，300mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3018W
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，300mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2SK3018WT1G
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：111000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1902TE-T1-AT
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：111000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1902TE-T1-AT
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，300mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，300mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA622TT-E1-A
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3018W
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7Ω@2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：12000}
规格型号(MPN)：UPA622TT-E1-A
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
功率：200mW
栅极电荷：3.8nC@10V
连续漏极电流：3A
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：155pF@10V
导通电阻：82mΩ@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：300mA
导通电阻：1.1Ω@4.5V，300mA
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：24pF@10V
阈值电压：1.5V@1mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：300mA
导通电阻：1.1Ω@4.5V，300mA
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：24pF@10V
阈值电压：1.5V@1mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7Ω@2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7Ω@2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：7.8pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：7.8pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
