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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
连续漏极电流：20A
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
阈值电压：2.3V@200μA
类型：1个N沟道
功率：19W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：37.8A
功率：19W
输入电容：1290pF@15V
栅极电荷：16nC@4.5V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：37.8A
功率：19W
输入电容：1290pF@15V
栅极电荷：16nC@4.5V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：19W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：19W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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