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品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2.61nF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：11.3A
阈值电压：1.5V@250μA
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
功率：1.5W
工作温度：-50℃~+150℃
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2.61nF@15V
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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