品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1791pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GN2014
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1791pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1791pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GN2014
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K101NUZTDG
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:6.2mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: