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    DIODES Mosfet场效应管 DMC1030UFDB-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1030UFDB-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1030UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1003pF@6V€1028pF@6V

    连续漏极电流:5.1A€3.9A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2333-TP 起订51个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2333-TP 起订51个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@500mA,1.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA910EDJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA910EDJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA910EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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