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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
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规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
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输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
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类型：N沟道
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功率：500mW
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输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
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功率：1.26W
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连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.26W
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连续漏极电流：3.2A
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功率：500mW
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连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
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输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.2A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
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功率：500mW
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栅极电荷：1.5nC@4.5V
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输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
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功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：2.8A
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规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
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功率：500mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2.8A
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导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
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销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
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