采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP3R7-12QUJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€50W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5nF@6V
连续漏极电流：98.6A€18.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.7mΩ@18.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：39nC@4.5V
输入电容：2.23nF@6V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：39nC@4.5V
输入电容：2.23nF@6V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP3R7-12QUJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€50W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：110nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5nF@6V
连续漏极电流：98.6A€18.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.7mΩ@18.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：39nC@4.5V
输入电容：2.23nF@6V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1483-3/TR
功率：570mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：37mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3218DT1G
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
