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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1100pF@6V
功率：750mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：12V
栅极电荷：18nC@4.5V
功率：1.5W
连续漏极电流：9.5A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：1.78nF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
