品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5060pF@25V
连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP38N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
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输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:150nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:34.6A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP38N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP38N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:150nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:34.6A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:150nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:34.6A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:150nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:34.6A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
功率:313W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
栅极电荷:189nC@10V
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
连续漏极电流:40A
输入电容:3576pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5060pF@25V
连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5060pF@25V
连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5060pF@25V
连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1.9mA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5060pF@25V
连续漏极电流:34.1A
类型:N沟道
导通电阻:118mΩ@21.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: