采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP38N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP38N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP38N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
功率：313W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：189nC@10V
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：40A
输入电容：3576pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：189}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：189}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：SIHG47N60AE-GE3
功率：313W
连续漏极电流：43A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：3600pF@100V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：182nC@10V
导通电阻：65mΩ@24A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
功率：313W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：189nC@10V
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：40A
输入电容：3576pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"20+"：189}
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
功率：313W
连续漏极电流：34.1A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：5060pF@25V
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
类型：N沟道
阈值电压：5V@1.9mA
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
