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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.081nF@400V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
输入电容：1.081nF@400V
功率：72W
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@280μA
漏源电压：600V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7
导通电阻：180mΩ@10V，5.6A
功率：72W
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@280μA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.06nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.055nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
