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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31N60W，S1VF(S
功率：230W
阈值电压：3.7V@1.5mA
连续漏极电流：30.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@10V，15.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60U(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：5V@1mA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7S
功率：53W
阈值电压：4V@190μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N60
功率：50W
阈值电压：4.5V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009END3TL1
功率：94W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R400CE
功率：112W
阈值电压：3.5V@300μA
连续漏极电流：14.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6050JNZC17
功率：120W
阈值电压：7V@5mA
栅极电荷：120nC@15V
输入电容：4.5nF@100V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：83mΩ@25A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7
功率：72W
阈值电压：4V@280μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.6A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK62N60W5，S1VF(S
功率：400W
阈值电压：4.5V@3.1mA
连续漏极电流：61.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，30.9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94μA
连续漏极电流：120mA
类型：1个N沟道
导通电阻：45Ω@10V，120mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CE
功率：5W
阈值电压：3.5V@60μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1Ω@10V，800mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：7V@4.2mA
栅极电荷：42nC@15V
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：286mΩ@15V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R190E6FKSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.4nF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.5nC@10V
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6050JNZ4C13
功率：615W
阈值电压：7V@5mA
栅极电荷：120nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4.5nF@100V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：83mΩ@25A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CE
功率：61W
阈值电压：3.5V@130μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，1.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60
功率：120W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R400CE
功率：31W
阈值电压：3.5V@300μA
连续漏极电流：10.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AD2N60S
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006KND3TL1
功率：70W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：830mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
