品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011KNXC7G
功率:53W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:80W
阈值电压:4.5V@400μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:80W
阈值电压:4.5V@400μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:80W
阈值电压:4.5V@400μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:80W
阈值电压:4.5V@400μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:8A
功率:80W
类型:1个N沟道
阈值电压:4.5V@400μA
漏源电压:600V
导通电阻:560mΩ@4A,10V
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: