品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
栅极电荷:96 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2127 pF @ 100 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60F
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:417W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8000 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:114 nC @ 10 V
输入电容:3465 pF @ 380 V
连续漏极电流:37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":440}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60F
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:417W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8000 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30N60BC6
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
栅极电荷:88 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2267 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30N60BC6
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
栅极电荷:88 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2267 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 80µA
栅极电荷:8.5 nC @ 10 V
输入电容:344 pF @ 400 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:114 nC @ 10 V
输入电容:3465 pF @ 380 V
连续漏极电流:37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 80µA
栅极电荷:8.5 nC @ 10 V
输入电容:344 pF @ 400 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU5N60TU
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:54W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:16 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:600 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:950 毫欧 @ 2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":440}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60F
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:417W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8000 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2127 pF @ 100 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH36N60P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:650W(Tc)
阈值电压:5V @ 4mA
栅极电荷:102 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5800 pF @ 25 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:190 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2224}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU5N60TU
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:54W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:600 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:950 毫欧 @ 2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60F
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:417W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8000 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:460W(Tc)
阈值电压:5V @ 4mA
栅极电荷:72 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:4150 pF @ 25 V
连续漏极电流:26A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:270 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2224}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU5N60TU
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:54W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:600 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:950 毫欧 @ 2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX64N60P3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1130W(Tc)
阈值电压:5V @ 4mA
栅极电荷:145 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9900 pF @ 25 V
连续漏极电流:64A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:95 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
栅极电荷:96 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2127 pF @ 100 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
栅极电荷:96 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2127 pF @ 100 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:114 nC @ 10 V
输入电容:3465 pF @ 380 V
连续漏极电流:37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:114 nC @ 10 V
输入电容:3465 pF @ 380 V
连续漏极电流:37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:99 毫欧 @ 18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":66,"22+":237}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2127 pF @ 100 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 80µA
栅极电荷:8.5 nC @ 10 V
输入电容:344 pF @ 400 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 80µA
栅极电荷:8.5 nC @ 10 V
输入电容:344 pF @ 400 V
连续漏极电流:7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30N60BC6
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
栅极电荷:88 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2267 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60F
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:417W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:270 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8000 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125C6FKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:219W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2127 pF @ 100 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125CPFKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:208W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 1.1mA
栅极电荷:70 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2500 pF @ 100 V
连续漏极电流:25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V
连续漏极电流:7A(Tc)
输入电容:344 pF @ 400 V
漏源电压:600V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:45W(Tc)
栅极电荷:8.5 nC @ 10 V
类型:N 通道
阈值电压:4.5V @ 80µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: