采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：1800 pF @ 50 V
连续漏极电流：17A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：220 毫欧 @ 8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：1800 pF @ 50 V
连续漏极电流：17A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：220 毫欧 @ 8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），220W（Tc）
栅极电荷：84 nC @ 10 V
包装方式：托盘
输入电容：2200 pF @ 30 V
连续漏极电流：23A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：360 毫欧 @ 11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：4V @ 360µA
栅极电荷：20 nC @ 10 V
输入电容：590 pF @ 300 V
连续漏极电流：9.7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：380 毫欧 @ 4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：3.7V @ 600µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：890 pF @ 300 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：340 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：3.7V @ 270µA
栅极电荷：10.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：900 毫欧 @ 2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：4V @ 450µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：730 pF @ 300 V
连续漏极电流：11.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：290 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：4V @ 450µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：730 pF @ 300 V
连续漏极电流：11.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：290 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK16A60W5，S4VX
功率：40W（Tc）
连续漏极电流：15.8A（Ta）
阈值电压：3.7V @ 1.5mA
工作温度：150°C（TJ）
栅极电荷：43 nC @ 10 V
导通电阻：190 毫欧 @ 7.9A，10V
类型：N 通道
包装方式：管件
输入电容：1350 pF @ 300 V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：80000，"15+"：1000，"17+"：21000，"9999"：2482}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-E
工作温度：150°C（TJ）
输入电容：130 pF @ 30 V
类型：N 通道
导通电阻：8.1 欧姆 @ 800mA，10V
包装方式：袋
功率：1W（Ta），20W（Tc）
漏源电压：600V
栅极电荷：6.3 nC @ 10 V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.5A（Ta）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
