包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：6.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：6.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：42W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFD6H852NLWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：2V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：25.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFD6H852NLWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：2V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：25.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：42W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：42W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1