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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.2A
类型：MOSFET
导通电阻：380mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.2A
类型：MOSFET
导通电阻：380mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
