品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R005PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@22.5V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF016N05TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@22.5V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05GZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:3.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05GZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@22.5V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: